Параметры Полевой транзистор серии GB8NC60KD

GB8NC60KD

Тип монтажа :

Производитель : STMicroelectronics

Корпус :

Описание : 600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT
600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT

Рабочая температура : Min °C | Max °C

GB8NC60KD