Параметры Полевой транзистор серии BSM200GB120
BSM200GB120
Тип монтажа :
Производитель : Siemens Semiconductor Group
Корпус :
Описание : IGBT Power Module Loss IGBT inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
IGBT Power Module Loss IGBT inductance halfbridge Including fast free- wheeling diodes)
Рабочая температура : Min °C | Max °C