Параметры Полевой транзистор серии BF1012S
BF1012S
Тип монтажа :
Производитель : Siemens Semiconductor Group
Корпус :
Описание : Silicon N-Channel MOSFET Tetrode noise, high gain controlled input stages 1GHz Operating voltage Integrated stabilized bias network)
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode noise, high gain controlled input stages 1GHz Operating voltage Integrated stabilized bias network)
Рабочая температура : Min °C | Max °C