Параметры Полевой транзистор серии BF1009S
BF1009S
Тип монтажа :
Производитель : Siemens Semiconductor Group
Корпус :
Описание : Silicon N-Channel MOSFET Tetrode noise, high gain controlled input stages 1GHz Operating voltage Integrated bias network)
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode noise, high gain controlled input stages 1GHz Operating voltage Integrated bias network)
Рабочая температура : Min °C | Max °C