Параметры Полевой транзистор серии APTGT30H170T3G
APTGT30H170T3G
Тип монтажа :
Производитель : MICROSEMI[Microsemi Corporation]
Корпус :
Описание : Full Bridge Trench Field Stop IGBT Power Module
Full Bridge Trench Field Stop IGBT Power Module
Рабочая температура : Min °C | Max °C