Параметры Полевой транзистор серии APTGF50DH60T1G

APTGF50DH60T1G

Тип монтажа :

Производитель : Microsemi

Корпус :

Описание : Asymmetrical Bridge IGBT Power Module
Asymmetrical Bridge IGBT Power Module

Рабочая температура : Min °C | Max °C

APTGF50DH60T1G PDF