Параметры Полевой транзистор серии APT1001RDN

APT1001RDN

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP

Рабочая температура : Min °C | Max °C

APT1001RDN