Параметры Полевой транзистор серии APT1001R1HN

APT1001R1HN

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-258ISO
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 9.5A I(D) | TO-258ISO

Рабочая температура : Min °C | Max °C

APT1001R1HN