Параметры Полевой транзистор серии 2N6661JAN

2N6661JAN

Тип монтажа :

Производитель : Vishay Intertechnology

Корпус :

Описание : N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(?????????????0V,??????0.86A??????????OSFET?????
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(?????????????0V,??????0.86A??????????OSFET?????

Рабочая температура : Min °C | Max °C

2N6661JAN