Параметры Полевой транзистор серии ZXMC10A816N8
ZXMC10A816N8
Тип монтажа :
Производитель : Diodes Incorporated
Корпус :
Описание : 100V SO8 Complementary Dual enhancement mode MOSFET
100V SO8 Complementary Dual enhancement mode MOSFET
Рабочая температура : Min °C | Max °C
ZXMC10A816N8