Параметры Полевой транзистор серии STRH12P10ESY1
STRH12P10ESY1
Тип монтажа :
Производитель : STMicroelectronics
Корпус :
Описание : P-channel 100V 0.265? TO-257AA Rad-hard gate charge STripFET? Power MOSFET
P-channel 100V 0.265? TO-257AA Rad-hard gate charge STripFET? Power MOSFET
Рабочая температура : Min °C | Max °C