Параметры Полевой транзистор серии RA55H4452M
RA55H4452M
Тип монтажа :
Производитель : Mitsubishi Electric Semiconductor
Корпус :
Описание : RF MOSFET MODULE 440-520MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO
RF MOSFET MODULE 440-520MHz 55W 12.5V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO
Рабочая температура : Min °C | Max °C
RA55H4452M