Параметры Полевой транзистор серии RA30H1317M1-101
RA30H1317M1-101
Тип монтажа :
Производитель : Mitsubishi Electric Semiconductor
Корпус :
Описание : MOSFET MODULE 135-175MHz 12.5V Stage Amp. MOBILE RADIO
MOSFET MODULE 135-175MHz 12.5V Stage Amp. MOBILE RADIO
Рабочая температура : Min °C | Max °C