Параметры Полевой транзистор серии RA05H8693M-101
RA05H8693M-101
Тип монтажа :
Производитель : Mitsubishi Electric Semiconductor
Корпус :
Описание : RF MOSFET MODULE 866-928MHz 5W 14V, 3 Stage Amp
RF MOSFET MODULE 866-928MHz 5W 14V, 3 Stage Amp
Рабочая температура : Min °C | Max °C
RA05H8693M-101