Параметры Полевой транзистор серии NTTD1P02R2G

NTTD1P02R2G

Тип монтажа :

Производитель : Semiconductor

Корпус :

Описание : Power MOSFET -1.45 Amps, Volts
Power MOSFET -1.45 Amps, Volts

Рабочая температура : Min °C | Max °C

NTTD1P02R2G PDF