Параметры Полевой транзистор серии NTLJF3117PT1G
NTLJF3117PT1G
Тип монтажа :
Производитель : ONSEMI[ON Semiconductor]
Корпус :
Описание : Power MOSFET Schottky Diode −20 −4.1 P−Channel, with Schottky Barrier Diode, uCool Package
Power MOSFET Schottky Diode −20 −4.1 P−Channel, with Schottky Barrier Diode, uCool Package
Рабочая температура : Min °C | Max °C