Параметры Полевой транзистор серии NTHD4N02FT1G

NTHD4N02FT1G

Тип монтажа :

Производитель : Semiconductor

Корпус :

Описание : POWER MOSFET SCHOTTKY DIODE
POWER MOSFET SCHOTTKY DIODE

Рабочая температура : Min °C | Max °C

NTHD4N02FT1G PDF