Параметры Полевой транзистор серии NTGD4169F
NTGD4169F
Тип монтажа :
Производитель : Semiconductor
Корпус :
Описание : Power MOSFET Schottky Diode N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6
Power MOSFET Schottky Diode N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6
Рабочая температура : Min °C | Max °C