Параметры Полевой транзистор серии NTD4960N-1G

NTD4960N-1G

Тип монтажа :

Производитель : ON Semiconductor

Корпус :

Описание : Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
Power MOSFET 30 V, 55 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK

Рабочая температура : Min °C | Max °C

NTD4960N-1G