Параметры Полевой транзистор серии MTD6N20ET4G

MTD6N20ET4G

Тип монтажа :

Производитель : Semiconductor

Корпус :

Описание : Power MOSFET Amps, Volts N−Channel DPAK
Power MOSFET Amps, Volts N−Channel DPAK

Рабочая температура : Min °C | Max °C

MTD6N20ET4G PDF