Параметры Полевой транзистор серии MM118-06
MM118-06
Тип монтажа :
Производитель : MICROSEMI[Microsemi Corporation]
Корпус :
Описание : PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE
PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE
Рабочая температура : Min °C | Max °C