Полевой транзистор Сайт

Все о Полевой транзистор

Параметры Полевой транзистор серии MG800J1US51

MG800J1US51

Тип монтажа :

Производитель : Toshiba Semiconductor

Корпус :

Описание : CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

Рабочая температура : Min °C | Max °C

MG800J1US51 PDF