Параметры Полевой транзистор серии MG50H2YS1
MG50H2YS1
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba
Корпус :
Описание : High Power Switching Application Silicon N-Channel IGBT
High Power Switching Application Silicon N-Channel IGBT
Рабочая температура : Min °C | Max °C