Параметры Полевой транзистор серии IXSN55N120AU1
IXSN55N120AU1
Тип монтажа :
Производитель : IXYS[IXYS Corporation]
Корпус :
Описание : High Voltage IGBT with Diode Short Circuit Capability
High Voltage IGBT with Diode Short Circuit Capability
Рабочая температура : Min °C | Max °C