Параметры Полевой транзистор серии IXSK30N60BD1

IXSK30N60BD1

Тип монтажа :

Производитель : IXYS Corporation

Корпус :

Описание : High Speed IGBT with Diode
High Speed IGBT with Diode

Рабочая температура : Min °C | Max °C

IXSK30N60BD1 PDF