Параметры Полевой транзистор серии IXGN80N30BD1
IXGN80N30BD1
Тип монтажа :
Производитель : IXYS Corporation
Корпус :
Описание : IGBT with Diode(VCES??00V??CE(sat)??.4V???????????????????????
IGBT with Diode(VCES??00V??CE(sat)??.4V???????????????????????
Рабочая температура : Min °C | Max °C
IXGN80N30BD1