Параметры Полевой транзистор серии IXGH10N100U1
IXGH10N100U1
Тип монтажа :
Производитель :
Корпус :
Описание : VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
Рабочая температура : Min °C | Max °C