Параметры Полевой транзистор серии IXDP20N60BD1

IXDP20N60BD1

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : High Voltage IGBT with optional Diode
High Voltage IGBT with optional Diode

Рабочая температура : Min °C | Max °C

IXDP20N60BD1 PDF