Параметры Полевой транзистор серии IRG4CH50SB

IRG4CH50SB

Тип монтажа :

Производитель : International Rectifier

Корпус :

Описание : IRG4CH50SB IGBT Wafer Form
IRG4CH50SB IGBT Wafer Form

Рабочая температура : Min °C | Max °C

IRG4CH50SB PDF