Параметры Полевой транзистор серии IRG4BC10S
IRG4BC10S
Тип монтажа :
Производитель : International Rectifier
Корпус :
Описание : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
Рабочая температура : Min °C | Max °C