Параметры Полевой транзистор серии HGTP10N120BN
HGTP10N120BN
Тип монтажа :
Производитель : Fairchild Semiconductor
Корпус :
Описание : 1200V, Series N-Channel IGBT
1200V, Series N-Channel IGBT
Рабочая температура : Min °C | Max °C
Тип монтажа :
Производитель : Fairchild Semiconductor
Корпус :
Описание : 1200V, Series N-Channel IGBT
1200V, Series N-Channel IGBT
Рабочая температура : Min °C | Max °C