Параметры Полевой транзистор серии HGTD7N60B3S9A

HGTD7N60B3S9A

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 7A I(C) | TO-252AA
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 7A I(C) | TO-252AA

Рабочая температура : Min °C | Max °C

HGTD7N60B3S9A