Параметры Полевой транзистор серии HGTD3N60A4S9A

HGTD3N60A4S9A

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA

Рабочая температура : Min °C | Max °C

HGTD3N60A4S9A