Параметры Полевой транзистор серии HGTD2N120BNS9A

HGTD2N120BNS9A

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA

Рабочая температура : Min °C | Max °C

HGTD2N120BNS9A