Параметры Полевой транзистор серии HGT1S7N60B3S9A

HGT1S7N60B3S9A

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 7A I(C) | TO-263AB
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 7A I(C) | TO-263AB

Рабочая температура : Min °C | Max °C

HGT1S7N60B3S9A