Параметры Полевой транзистор серии GT60N322
GT60N322
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : Silicon Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application
Silicon Channel IGBT Voltage Resonance Inverter Switching Application
Рабочая температура : Min °C | Max °C