Параметры Полевой транзистор серии GT50J322_06
GT50J32206
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : SILICON CHANNEL IGBT FOURTH GENERATION IGBT
SILICON CHANNEL IGBT FOURTH GENERATION IGBT
Рабочая температура : Min °C | Max °C