Параметры Полевой транзистор серии GT40T30106
GT40T30106
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : Silicon Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching Applications
Silicon Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching Applications
Рабочая температура : Min °C | Max °C