Полевой транзистор Сайт

Все о Полевой транзистор

Параметры Полевой транзистор серии GT20J301_06

GT20J30106

Тип монтажа :

Производитель : Toshiba Semiconductor

Корпус :

Описание : SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

Рабочая температура : Min °C | Max °C

GT20J30106 PDF