Параметры Полевой транзистор серии BSM50GD120DN2E3226

BSM50GD120DN2E3226

Тип монтажа :

Производитель : Infineon

Корпус :

Описание : IGBT Power Module
IGBT Power Module

Рабочая температура : Min °C | Max °C

BSM50GD120DN2E3226 PDF