Параметры Полевой транзистор серии BSM200GA170DN2S

BSM200GA170DN2S

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 290A I(C)
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.7KV V(BR)CES | 290A I(C)

Рабочая температура : Min °C | Max °C

BSM200GA170DN2S