Параметры Полевой транзистор серии BSM200GA120DN2S

BSM200GA120DN2S

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)

Рабочая температура : Min °C | Max °C

BSM200GA120DN2S