Параметры Полевой транзистор серии APTGT50DH60T1G
APTGT50DH60T1G
Тип монтажа :
Производитель : Microsemi Corporation
Корпус :
Описание : Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
Рабочая температура : Min °C | Max °C
APTGT50DH60T1G